在科技领域的最新突破中，山西烁科晶体有限公司，一家坐落于山西转型综改示范区潇河新兴产业园区的前沿企业，成功研制出全球首款12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同步推出了12英寸N型碳化硅单晶衬底。这一成就标志着烁科晶体在第三代半导体材料研发领域取得了重大进展。
作为国内碳化硅材料生产和研发的佼佼者，烁科晶体始终致力于满足国家重大战略科技需求，并以市场为导向，深耕前瞻性基础技术研究。通过不懈的努力，公司在技术创新、产业规模以及产业链协同等方面均取得了显著成果。近年来，烁科晶体凭借自主创新和自主研发，成功掌握了碳化硅生长装备制造技术、高纯碳化硅粉料制备工艺，并率先在国内完成了高纯半绝缘碳化硅单晶衬底关键工艺技术的突破。
在此基础上，烁科晶体还攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型衬底的生长工艺，建立了从碳化硅粉料制备、单晶生长到晶片加工的完整生产线。此次12英寸碳化硅衬底的成功研制，不仅大幅提升了单片晶圆上可用于芯片制造的面积，还显著提高了合格芯片的产量。在相同的生产条件下，这一成果有助于降低成本，提高经济效益，为碳化硅材料的广泛应用开辟了新途径。
烁科晶体的这一系列成就，不仅展示了其在碳化硅材料研发领域的深厚实力，也为中国半导体产业的发展注入了新的活力。随着大尺寸碳化硅单晶衬底技术的不断成熟和产业化进程的加速，烁科晶体有望在全球半导体市场中占据更加重要的位置，推动整个行业向更高水平发展。
