近期，半导体材料领域迎来了重大突破，天岳先进公司在全球知名的德国慕尼黑半导体展览会上，震撼发布了其自主研发的12英寸（300mm）碳化硅衬底产品。这一里程碑式的创新，不仅刷新了碳化硅衬底技术的行业标准，更彰显了天岳先进在全球碳化硅材料市场的领先地位。
德国慕尼黑半导体展览会作为全球半导体行业的盛会，吸引了众多国际知名企业参展。天岳先进在展会上发布的12英寸碳化硅衬底，迅速引起了博世、英飞凌、奔驰等国际巨头的广泛关注。这一产品的成功发布，标志着天岳先进在碳化硅衬底技术上的又一次飞跃。
天岳先进在碳化硅衬底技术领域一直保持着领先地位。早在2023年，公司就成功发布了全球首枚8英寸液相法制备的低缺陷碳化硅衬底。此次发布的12英寸碳化硅衬底，更是将公司的技术优势推向了新的高度。这一产品的成功，得益于天岳先进在合成材料、晶体生长、衬底加工等方面的深厚积累。
碳化硅作为第三代半导体材料的代表，具有优异的性能优势，是半导体材料技术领域重点发展的方向。随着新能源汽车、光伏储能等产业的快速发展，碳化硅材料的需求呈现出爆发式增长。天岳先进的12英寸碳化硅衬底产品，将进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量，降低单位成本，为碳化硅材料的更大规模应用提供了可能。
天岳先进在“液相法”碳化硅衬底技术领域也取得了显著成果。液相法具有生长高品质晶体的优势，天岳先进通过多年的布局和研发，成功获得了低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体。这一技术的突破，将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
天岳先进在碳化硅衬底技术领域的持续创新，不仅巩固了公司在全球市场的领先地位，更为整个碳化硅行业树立了新的标杆。公司的12英寸碳化硅衬底产品，将推动碳化硅材料在更多领域的应用，为半导体产业的发展注入新的活力。
天岳先进在国际市场上已展现出强大的影响力。公司不仅成功切入英飞凌、博世等国际大厂的供应链，还实现了连续多个季度的营收环比增长。此次12英寸碳化硅衬底产品的海外首发，更是让市场对其未来发展充满了期待。
