【媒体界】10月19日消息，韩国媒体BusinessKorea报道称，三星电子已正式宣布其最新的第五代高带宽内存(HBM3E)产品将被命名为“Shinebolt”。
据了解，三星电子已经开始向其客户提供“Shinebolt”的样品，以供进行质量测试。这些样品的规格为8层24GB，而三星还计划很快完成12层36GB产品的开发。
“Shinebolt”的最大数据传输速度，也就是带宽，比前一代HBM3高出50%，达到了1.228TB/s。尽管在内存领域的研发和生产速度在某种程度上落后于SK海力士，但三星电子仍计划重新夺回领先地位。
HBM内存的关键在于每一层之间的连接方式。三星电子一直采用热压缩非导电薄膜(TC-NCF)工艺，而SK海力士则使用质量回流成型底部填充(MR-MUF)工艺。市场对于哪种工艺更优越仍有待评判。
鉴于在HBM内存的研发和生产速度方面已经落后于SK海力士，三星电子也正在重新制定战略，以夺回市场地位。目前，三星电子正在考虑加速开发HBM的“混合连接”工艺，以“改变游戏规则”。
此外，三星内存业务总裁李正培早前表示：“我们目前正在生产HBM3，顺利开发下一代产品HBM3E，我们将进一步扩大HBM内存的生产，以满足客户需求。”
