一汽红旗近日宣布，其研发总院新能源开发院功率电子开发部成功设计出首款1700V超高压碳化硅功率器件样件。这一创新成果有望显著缓解用户在驾乘过程中面临的充电和里程焦虑问题，为高压架构的落地及实现5分钟快速补能目标奠定了坚实的基础。
该功率器件的核心亮点在于其采用了国产1700V车规级超高压碳化硅芯片，并应用了高介电强度封装材料和高耐压封装结构技术。测试结果显示，该器件的最高母线电压可达1200V，这将有助于补能系统向超高压平台升级，进一步缩短充电时间。
该碳化硅功率器件还结合了高密度元胞并联、短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联以及高耐温银烧结工艺等多项先进技术。这些技术的应用使得该器件在超高压平台下能够展现出低损耗与高电流输出的综合性能优势，进而提升动力系统的功率密度和效率，节约整车电耗，提升续驶里程。
尽管一汽红旗尚未公布该器件的量产搭载时间，但表示将密切关注其后续的商用进展。
